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碳化硅陶瓷的燒結工藝

點擊次數:   更新時間:2020-08-30 10:33:08   分    享:
  碳化硅陶瓷燒結工藝主要有無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結這四種。其作用如下:
  采用無壓燒結工藝可以制備出復雜形狀和大尺寸的SiC部件,因此,被認為是SiC陶瓷的燒結方法。
  采用熱壓燒結工藝只能制備簡單形狀的SiC部件,而且一次熱燒結過程所制備的產品數量很小,因而,不利于商業化生產。
  采用熱等靜壓工藝可以獲得復雜形狀的SiC制品,但對素坯進行包封,所以,也很難實現工業化生產。
  通過反應燒結工藝可以制備出復雜形狀的SiC部件,而且其燒結溫度較低,但是,反應燒結SiC陶瓷的高溫性能較差。
  碳化硅陶瓷的性能因燒結法的不同而不同,下面就為大家分享下無壓燒結、熱壓燒結、熱等靜壓燒結和反應燒結中碳化硅陶瓷的性能。
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